產(chǎn)品[
GDW3-LT1C高頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀/高頻光電壽命測(cè)試儀 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω?cm
]資料
產(chǎn)品名稱:
GDW3-LT1C高頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀/高頻光電壽命測(cè)試儀 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω?cm
產(chǎn)品型號(hào):
GDW3-LT1C
產(chǎn)品展商:
中慧
產(chǎn)品文檔:
*相關(guān)文檔
簡(jiǎn)單介紹
1、用途
用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，除需要有一個(gè)測(cè)量平面外，對(duì)樣塊體形*嚴(yán)格要求，可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶的重要檢測(cè)項(xiàng)目。
GDW3-LT1C高頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀/高頻光電壽命測(cè)試儀 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω?cm
的詳細(xì)介紹
高頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀/高頻光電壽命測(cè)試儀 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω?cm
型號(hào)：GDW3-LT1C
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貨號(hào)：ZH410
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太陽能 硅片壽命 配已知壽命樣片、配示波器
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
1、用途
用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，除需要有一個(gè)測(cè)量平面外，對(duì)樣塊體形*嚴(yán)格要求，可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶的重要檢測(cè)項(xiàng)目。
2、 設(shè)備組成
2.1、光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率＞25次/s 脈寬＞60μｓ 光脈沖關(guān)斷時(shí)間＜1μｓ
紅外光源波長(zhǎng)：1.06～1.09μm（測(cè)量硅單晶） 脈沖電流：5A～20A
如測(cè)量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長(zhǎng)的光源
2.2、高頻源
頻率：30MHz 低輸出阻抗 輸出功率＞1W
2.3、放大器和檢波器
頻率響應(yīng)：2Hz～2MHz
2.4、配用示波器
配用示波器：頻帶寬度不低于10MHz，Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)。
3、測(cè)量范圍
可測(cè)硅單晶的電阻率范圍：ρ≥0.1Ω·㎝（歐姆·厘米）
壽命值的測(cè)量范圍：5～6000μｓ（微秒）
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