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熱賣產(chǎn)品

產(chǎn)品列表

產(chǎn)品圖片	產(chǎn)品名稱/型號(hào)	產(chǎn)品簡(jiǎn)單介紹
	KG/ATA-18旋轉(zhuǎn)園盤電	KG/ATA-18型旋轉(zhuǎn)圓盤電應(yīng)用在電分析化學(xué)、電過程和均相化學(xué)反應(yīng)的研究，電自身旋轉(zhuǎn)時(shí)，溶液在電表面進(jìn)行層流運(yùn)動(dòng)，擴(kuò)散層厚度隨轉(zhuǎn)速的變化而變化，根據(jù)限擴(kuò)散電流方程式，可以準(zhǔn)確測(cè)定擴(kuò)散電流。
	XJR-821C多功能譜儀	XJR-821C型新譜儀是一臺(tái)多功能電化學(xué)分析儀器，可分別記錄電流--電位曲線、半微分曲線、1.5次微分曲線、2.5次微分曲線及電流--時(shí)間曲線；可進(jìn)行單掃、循環(huán)伏安、溶出法、記時(shí)電流法測(cè)定，也可作為高壓液相色譜和毛細(xì)管電泳電流檢測(cè)器。
	KG/KLT-1A**庫(kù)侖儀	庫(kù)侖儀應(yīng)用于科研院所，大專院校的科研教學(xué)具有電流法、電位法、等當(dāng)點(diǎn)上升、等當(dāng)點(diǎn)下降四種指示電終點(diǎn)檢測(cè)方式，根據(jù)不同的要求，選用電和電解液，可完成不同的實(shí)驗(yàn)，是科研教學(xué)及化學(xué)分析的一種的庫(kù)侖儀。
	XQYD110A巖石電鉆（不含支柱）	XQYD125A巖石電鉆，XQYD110A巖石電鉆，XQYD125A巖石電鉆，XQYD140巖石電鉆，XQYD175巖石電鉆巖石電鉆　　XQYD40A巖石電鉆、XQYD75A巖石電鉆、XQYD110A巖石電鉆、XQYD125A巖石電鉆、XQYD140巖石電鉆、XQYD175巖石電鉆　　XQYD40A、XQYD75A、XQYD110A、XQYD125A型礦用電動(dòng)巖石鉆（以下簡(jiǎn)稱鉆機(jī)）系鉆巖石*破孔的
	SD/UTG 2000智能型超聲波測(cè)厚儀	智能型超聲波測(cè)厚儀，采用的*、低功耗微處理器，基于超聲波測(cè)量原理，可以測(cè)量金屬及其它多種材料的厚度，并可以對(duì)材料的聲速進(jìn)行測(cè)量。可以對(duì)生產(chǎn)設(shè)備中管道和壓力容器進(jìn)行監(jiān)測(cè)，監(jiān)測(cè)它們?cè)谑褂眠^程中受腐蝕后的減薄程度，也可以對(duì)板材和加工零件作測(cè)量。本儀器可**應(yīng)用于石油、化工、冶金、造船、航空、航天等各個(gè)領(lǐng)域。
	GDW3-KDZ-2B兩探針測(cè)試架（測(cè)細(xì)硅芯棒用）	測(cè)細(xì)硅芯棒用晶體可測(cè)長(zhǎng)度：3m 探頭針沿晶體縱向移動(dòng)距離：300mm
	SD/CTG2300涂覆層測(cè)厚儀	便攜式涂覆層測(cè)厚儀可快速、損、精密地進(jìn)行涂、鍍層厚度的測(cè)量。本儀器能地應(yīng)用在電鍍、腐、航天航空、化工、汽車、造船、輕工、商檢等檢測(cè)領(lǐng)域。配置不同的測(cè)頭，適用于不同場(chǎng)合。
	SD/CTG2200涂覆層測(cè)厚儀	便攜式涂覆層測(cè)厚儀可快速、損、精密地進(jìn)行涂、鍍層厚度的測(cè)量。本儀器能地應(yīng)用在電鍍、腐、航天航空、化工、汽車、造船、輕工、商檢等檢測(cè)領(lǐng)域。配置不同的測(cè)頭，適用于不同場(chǎng)合。
	SD/CTG2100涂覆層測(cè)厚儀	便攜式涂覆層測(cè)厚儀可快速、損、精密地進(jìn)行涂、鍍層厚度的測(cè)量。本儀器能地應(yīng)用在電鍍、腐、航天航空、化工、汽車、造船、輕工、商檢等檢測(cè)領(lǐng)域。CTG2000型涂覆層測(cè)厚儀采用磁性法，可測(cè)量磁性金屬基體(如鋼、鐵、合金和硬磁性鋼等)上非磁性覆蓋層的厚度(如鋅、鋁、鉻、銅、橡膠、油漆等)。
	GDW3-KDZ-2A兩探針測(cè)試架（測(cè)檢磷、檢硼棒用）	測(cè)檢磷、檢硼棒用，晶體可測(cè)長(zhǎng)度：300mm
	SD/CTG2000涂覆層測(cè)厚儀	便攜式涂覆層測(cè)厚儀可快速、損、精密地進(jìn)行涂、鍍層厚度的測(cè)量。本儀器能地應(yīng)用在電鍍、腐、航天航空、化工、汽車、造船、輕工、商檢等檢測(cè)領(lǐng)域。CTG2000型涂覆層測(cè)厚儀采用磁性法，可測(cè)量磁性金屬基體(如鋼、鐵、合金和硬磁性鋼等)上非磁性覆蓋層的厚度(如鋅、鋁、鉻、銅、橡膠、油漆等)。
	GDW3-KDZ-1兩探針測(cè)試架	晶體可測(cè)長(zhǎng)度：700mm 探頭針沿晶體縱向移動(dòng)距離：700mm
	GDW3-KDJ-2四探針手動(dòng)測(cè)試架	豎測(cè)高度：300/500（mm）樣品臺(tái)面：φ200mm 可旋轉(zhuǎn)，前后移動(dòng)
	GDW3-KDJ-3四探針手動(dòng)測(cè)試架	豎測(cè)高度：300/500（mm）樣品臺(tái)面：φ400mm，可旋轉(zhuǎn)，前后移動(dòng)
	GDSKDJ-1B四探針手動(dòng)測(cè)試架測(cè)單晶棒用	測(cè)單晶棒用，豎測(cè)高度：500（mm）樣品臺(tái)面：300×320（mm）

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